Для перехода от полупроводниковой электроники к фотонике, в которой носителями информации являются элементарные частички света — фотоны (в электронике, как известно, носители информации — электроны), требуется, по крайней мере, на начальных этапах совместимость электронных и фотонных устройств. Поэтому сегодня наиболее перспективным технологическим направлением для создания фотонных устройств считается кремниевая технология, используемая в электронике. И, соответственно, материалом для лазеров (генераторов и усилителей оптических волн), которые предназначаются для использования в фотонных микросхемах, должен быть кремний.
Читать далее «В США изобретен новый вид лазера для кремниевой фотоники»
