Разработан супер-эффективный транзистор с надежным барьером Шоттки!

Разработан супер-эффективный транзистор с надежным барьером Шоттки!

Борьба за снижение потребления электроэнергии интегральными микросхемами начинается с повышения энергоэффективности их ключевых элементов – транзисторов. А она, как известно, определяется токами утечек на границах соприкосновения металлических и полупроводниковых областей конструкции транзистора. На этих границах возникают паразитные барьеры Шоттки, через которые, когда транзистор закрыт, протекают токи, бесполезно расходующие энергию.

Читать далее «Разработан супер-эффективный транзистор с надежным барьером Шоттки!»


Зачем термография пришла в электротехнику?

На конференции «Полимерные и керамические изоляторы и изоляционные конструкции высокого напряжения. Воздействие перенапряжений на твердую изоляцию ВЛ и подстанций», которая недавно прошла в Петербургском энергетическом институте повышения квалификации, в одной из презентаций были представлены результаты термографических исследований трансформаторных вводов 110 кВ.

Читать далее «Зачем термография пришла в электротехнику?»