Борьба за снижение потребления электроэнергии интегральными микросхемами начинается с повышения энергоэффективности их ключевых элементов – транзисторов. А она, как известно, определяется токами утечек на границах соприкосновения металлических и полупроводниковых областей конструкции транзистора. На этих границах возникают паразитные барьеры Шоттки, через которые, когда транзистор закрыт, протекают токи, бесполезно расходующие энергию.
Читать далее «Разработан супер-эффективный транзистор с надежным барьером Шоттки!»
